半导体光刻工艺过程要在洁净室中进行,且洁净室的等级要达到半导体光刻工艺的要求。光刻的目的是将掩膜版的图形转移到光刻胶,再通过刻蚀将光刻胶的图形永久转移到硅片表面。
实验材料:一侧中心带有沟槽的陶瓷,样品形貌如下图1所示
尺寸为13×24×46㎜的高分子复合材料,材料的形貌如图1所示;该高分子复合材料具有高强度、质轻、耐温、耐腐蚀、绝缘等性质。高分子复合材料一般是根据应用目的,选取高分子材料和其他具有特殊性质的材料复合而成的新材料,制成满足需要的复合材料。
金刚石带锯采用电机驱动主动轮,锯带在主动轮带动下,传送给被动轮,使锯带进行单向循环快速转动,被切割材料则作往复直线运动以达到切割的目的
金属透射电镜样品要求:金属透射电镜样品要求两面磨,且金属表面呈无规则的划痕,最终样品直径应为φ3㎜、厚30~50μm的金属小圆片。
聚氨酯熔点在200℃左右,因此不能用过高温度对样品进行加热;聚氨酯具有较高的机械强度和氧化稳定性;较高的柔曲性和回弹性,因此当所需样品较小时用一般的切割设备不易切割,这就需要用到专用的切割小样品的设备进行切割。